А. Л. Хорошкевич.
Ганза в 14—15 вв.
Ганземан Давид
Га'нземан, Ханземан (Hansemann) Давид (12.7.1790, Финкенвердер, — 4.8.1864, Шлангенбад), прусский политический деятель, в 30—40-х гг. 19 в. один из лидеров немецкой либеральной буржуазии. Сын священника. Начал свою карьеру в Ахене как торговец шерстью, затем возглавил крупное предприятие. Сформулировал политическую программу немецких либералов — созыв общепрусского представительного собрания, укрепление и расширение Германского таможенного союза, уничтожение привилегий юнкерства. Во время революции, в марте — июне 1848 Г. министр финансов в прусском буржуазно-либеральном правительстве, в июле — сентябре 1848 министр-президент. Выражая стремление крупной буржуазии воспрепятствовать углублению революции, старался достигнуть соглашения с прусской монархической реакцией. После поражения революции отошёл от политической деятельности.
Соч.: Die Eisenbahnen und deren Aktionare in ihrem Verhaitniss zum Staat, Lpz.— Halle, 1837; Die deutsche Verfassung vom 28. Marz 1849, B., 1849.
Э. Морман (ГДР).
Ганзен Петер Андреас
Га'нзен, Ханзен (Hansen) Петер Андреас (8.12.1795, Тондерн, Шлезвиг, — 28.3.1874, Гота), немецкий астроном и геодезист датского происхождения. Директор Зебергской обсерватории в Готе (1825—74). Уточнил теорию движения Луны (1838, 1862—64); составил таблицы её движения (1857, точность 1''—2'' на период 1750—1850, заменены лишь в 20-е гг. 20 в.), уточнил значение солнечного параллакса (8,92''). Работы по теории возмущённого движения больших и малых планет и комет, солнечных затмений (новые солнечные таблицы, 1854).
Лит.: Берри А., Краткая история астрономии, пер. с англ., М. — Л., 1946, с. 312—315 (библ.): Паннекук А., История астрономии, пер. с англ., М., 1966; Селешников С. И., Астрономия и космонавтика, К., 1967.
А. И. Еремеева.
Ганзен Петр Готфридович
Га'нзен Петр Готфридович [12(24)10. 1846, Копенгаген, — 23.12.1930, там же], датско-русский литератор, переводчик. В 1871 из Дании переехал в Россию, служил в Сибири, с 1881 в Петербурге. Перевёл на датский язык произведения И. А. Гончарова, Л. Н. Толстого, вёл с ними дружескую переписку. В 1888 женился на А. В. Васильевой (1869—1942), совместно с которой переводил на русский язык Х. К. Андерсена, Г. Ибсена, К. Гамсуна, С. Кьеркегора и др. В 1917 Г. выехал в Данию.
Лит.: Литературный архив. Материалы по истории литературы и общественного движения, т. 6, М. — Л., 1961, с. 37—105.
Ганивет Гарсиа Анхель
Ганиве'т Гарси'а (Ganivet Garcia) Анхель (13.12.1862, Гранада, — 29.11.1898, Рига), испанский писатель и философ. В своих сочинениях подверг резкой критике испанское феодально-католическое общество и буржуазную демократию. Причины упадка Испании Г. Г. видел в отказе от национально-патриархальных традиций («Испанская идеология», 1897). Роман «Завоевание королевства Майя последним испанским конкистадором Пио Сидом» (1897) — сатира на политические нравы буржуазной Европы; в неоконченном романе «Деяния неутомимого созидателя Пио Сида» (1898) Г. Г. создал образ донкихотствующего чудака, показал неспособность испанской интеллигенции к активному действию.
Соч.: Obras completas, t. 1—10, Madrid, 1923—30; то же, т. 1—2, Madrid, 1961—62.
Лит.: Garcia Lorca F г.. Angel Ganivet. Su idea del hombre, B. Aires, 1952; Fernandez Almagro М., Vida у obra de Angel Ganivet, nueva ed., Madrid, 1953.
В. К. Ясный.
Ганизаде Султан Меджид Муртаза-Али оглы
Ганизаде' Султан Меджид Муртаза-Али оглы (1866, Шемаха, — 1937), азербайджанский писатель-просветитель. Родился в купеческой семье. Окончил тбилисский Александрийский институт (1887). Был педагогом. Автор романа «Письма Шейда-бека Ширвани» (1898—1900), повести «Страх перед богом» (1906) и др., в которых рисовал картины тяжёлой народной жизни, критиковал социальную несправедливость и невежество. Переводил русских, грузинских и армянских классиков на азербайджанский язык, составил «Русско-татарский словарь» (1902), «Азербайджанский фразеологический словарь» (1904).
Соч.: Сечилмиш эсэрлэри. [Предисл. Заманова], Бакы, 1965.
Лит.: Аз¶рбаjчан, здабиjjaты тарихи, ч. 2, Бакы, 1960.
К. Талыбзаде.
Ганимед (малая планета)
Ганиме'д, малая планета № 1036, открыта в 1924 немецким астрономом У. Бааде, среднее расстояние от Солнца 2,66 астрономических единицы. Интересной особенностью является большой (26,3°) наклон и значительный (0,54) эксцентриситет орбиты.
Ганимед (мифологич.)
Ганиме'д, в древнегреческой мифологии прекрасный троянский юноша, из-за своей необыкновенной красоты похищенный Зевсом на Олимп, где он стал любимцем Зевса и виночерпием богов. Около 4 в. до н. э. появляется мотив похищения Г. орлом, которого ещё более поздняя античная традиция отождествляет с самим Зевсом. Похищение Г. — частый сюжет в изобразительном искусстве (произведения Леохара, Корреджо, Рембрандта, Торвальдсена и др.).
Леохар. «Ганимед». Римская копия оригинала 2-й пол. 4 в. до н. э. Ватикан.
Ганимед (спутник планеты Юпитер)
Ганимед, спутник планеты Юпитер, наибольший по размерам (диаметр около 5150 км ), четвёртый по расстоянию от планеты (1070 тыс. км ). Г. — один из четырёх больших спутников Юпитера, открытых в 1610 итальянским учёным Г. Галилеем.
Ганкель Герман
Га'нкель , Ханкель (Hankel) Герман (14.2.1839, Галле, — 29.8.1873, Шрамберг), немецкий математик, работал в Эрлангене и Тюбингене. Ему принадлежит ряд формул теории цилиндрических функций. Исследования Г. по основаниям арифметики содействовали развитию учения о кватернионах и общих гиперкомплексных числовых системах. Г. принадлежат работы по истории античной и средневековой математики.
Соч.: Theorie der complexen Zahlensysteme, Lpz., 1867 (Vorlesungen uber die complexen Zahlen und ihre Funktionen, Tl 1); Zur Geschichte der Mathematik in Altertum und Mittelalter, Lpz., 1874.
Ганн Юлиус
Ганн, Ханн (Hann) Юлиус (23.3. 1839, Линц, — 1.10.1921, Вена), австрийский метеоролог. В 1874—97 и с 1900 профессор Венского университета, в 1877—97 директор австрийского метеорологического института. Один из основателей Австрийского метеорологического общества (1863) и журнала «Метеорологише цайтшрифт» («Meteorologische Zeitschrift»). Создал т. н. динамическую теорию циклонов, объясняющую их возникновение взаимодействием двух противоположных потоков воздуха. Занимался изучением климатов Земли, описал явление фена.
Соч.: Handbuch der Klimatologie, 4 Aufl., Stuttg., 1932; Lehrbuch der Meteorologie, Bd 1—2, Lpz., 1939—51: в рус. пер. — Общее землеведение, СПБ, 1902 (совм. с Э. Брюкнером).
Ганна диод
Га'нна дио'д, полупроводниковый прибор, работа которого основана на Ганна эффекте . Основным элементом Г. д. является полупроводниковый кристалл из арсенида галлия, фосфида индия или др. толщиной от единиц до сотен мкм, к которому присоединены 2 омических контакта. Удельное электрическое сопротивление кристалла — от -~ 0,001 до ~0,01 ом- м. Эффект Ганна в нём возникает при достижении «критической» напряжённости поля (в арсениде галлия около 300 кв/м ). Для создания промышленных Г. д. используют арсенид галлия. Г. д. применяют для усиления и генерирования электрических колебаний мощностью порядка нескольких квт (в импульсном режиме) и сотен мвт (в непрерывном режиме) на частотах от ~0,1 до ~100 Ггц, а также для создания быстродействующих логических и функциональных элементов электронных устройств.
Ганна эффект
Га'нна эффе'кт, явление генерации высокочастотных колебаний электрического тока j в полупроводнике, у которого объемная вольтамперная характеристика имеет N-образный вид (рис. 1 ). Эффект был обнаружен впервые американским физиком Дж. Ганном (J. Gunn) в 1963 в двух полупроводниках с электронной проводимостью: арсениде галлия (GaAs) и фосфиде индия (InP). Генерация происходит, когда постоянное напряжение V , приложенное к полупроводниковому образцу длиной l , таково, что электрическое поле Е в образце, равное Е = V/l, заключено в некоторых пределах Е1 £ E (E 2 . E1 и E 2 ограничивают падающий участок вольтамперной характеристики j (E), на котором дифференциальное сопротивление отрицательно. Колебания тока имеют вид серии импульсов (рис. 2 ). Частота их повторения обратно пропорциональна длине образца l .
Г. э. связан с тем, что в образце периодически возникает, перемещается по нему и исчезает область сильного электрического поля, которую называют электрическим доменом. Домен возникает потому, что однородное распределение электрического поля при отрицательном дифференциальном сопротивлении неустойчиво. Действительно, пусть в полупроводнике случайно возникло неоднородное распределение концентрации электронов в виде дипольного слоя — в одной области концентрация электронов увеличилась, а в другой — уменьшилась (рис. 3 ). Между этими заряженными областями возникает дополнительное поле DE (как между обкладками заряженного конденсатора). Если оно добавляется к внешнему полю Е и дифференциальное сопротивление образца положительно, т. е. ток растет с ростом поля E , то и ток внутри слоя больше, чем вне его (Dj > 0). Поэтому электроны из области с повышенной плотностью вытекают в большем количестве, чем втекают в неё, в результате чего возникшая неоднородность рассасывается. Если же дифференциальное сопротивление отрицательно (ток уменьшается с ростом поля), то плотность тока меньше там, где поле больше, т. е. внутри слоя. Первоначально возникшая неоднородность не рассасывается, а, напротив, нарастает. Растет и падение напряжения на дипольном слое, а вне его падает (т. к. полное напряжение на образце задано). В конце концов образуется электрический домен, распределение поля и плотности заряда в котором изображены на рис. 4 . Поле вне установившегося домена меньше порогового E1 , благодаря чему новые домены не возникают.
