Допустимые значения для циклов обращения к памяти:
– х222 и хЗЗЗ — для памяти типа EDO DRAM;
– хЗЗЗ и х444 — для памяти типа FPM DRAM;
– x111 и х222 — для памяти типа SDRAM.
На стабильную работу при уменьшении значений оказывает влияние тип чипсета, используемого на материнской плате. Например, чипсеты Triton ТХ и НХ "выдерживают" меньшие значения, чем Triton FX. Следовательно, ТХ и НХ могут работать быстрее, чем FX. В таблице 8.1 приведены некоторые рекомендованные значения для чипсетов компании Intel.
Таблица 8.
1. Рекомендуемые значения задержки для некоторых чипсетов компании Intel
где х – значение, зависящее от типа памяти.
Опция может иметь название DRAM Read Timing.
• DRAM Read Latch Delay
Опция позволяет устанавливать задержку между появлением данных в регистре памяти и их чтением. Большее значение уменьшает быстродействие, но увеличивает стабильность работы.
Может принимать значения:
– 0.0 ns — отсутствие задержки;
– 0.5 ns — задержка равна 0,5 нс;
– 1.0 ns — задержка равна 1 нс;
– 1.5 ns — задержка равна 1,5 нс.
• DRAM Speed Selection
Опция позволяет установить время доступа к оперативной памяти.
Может принимать значения:
– 50 ns — время доступа устанавливается равным 50 нс;
– 60 ns — время доступа устанавливается равным 60 нс;
– 70 ns — время доступа устанавливается равным 70 нс.
Установка меньшего значения, чем требуется для конкретного модуля памяти, может несколько увеличить производительность, но при этом увеличивается шанс получить полностью неработоспособную систему.
• DRAM Timing
Опция позволяет настроить временную характеристику записи/чтения данных в оперативной памяти. Чем меньше значение, тем быстрее идет обмен с памятью.
Может принимать значения:
– Auto — автоматическое определение временных характеристик при каждом включении компьютера;
– 70 ns — устанавливается для памяти со временем доступа 70 нс;
– 60 ns — устанавливается для памяти со временем доступа 60 нс;
– 50 ns — устанавливается для памяти со временем доступа 50 нс.
• DRAM Write Burst Timing
Смысл данной опции полностью идентичен DRAM Read Burst Timing, но речь идет о записи данных.
• Data Integrity (PAR/ECC)
Опция позволяет включить коррекцию ошибок/контроль четности. Вид контроля определяется значением параметра DRAM ECC/Parity Select.
Может принимать значения:
– Enabled — функция контроля включена;
– Disabled — функция отключена.
• EDO CAS# MA Wait State
Опция позволяет установить дополнительный такт задержки после выдачи сигнала CAS# для модулей оперативной памяти типа EDO.
Может принимать значения:
– 1 – используется только один такт задержки. Устанавливается по умолчанию;
– 2 — устанавливается один дополнительный такт задержки. Используется при ошибках в работе памяти.
• EDO RAS# Wait State
Опция позволяет установить дополнительный такт задержки после выдачи сигнала RAS# для модулей оперативной памяти типа EDO.
Может принимать значения:
– 1 – используется только один такт задержки. Устанавливается по умолчанию;
– 2 — устанавливается один дополнительный такт задержки. Используется при ошибках в работе памяти.
• EMS
Опция позволяет включить поддержку центральным процессором расширенной памяти спецификации EMS (Expanded Memory Specification). Применяется на компьютерах класса 286.
Может принимать значения:
– Enabled — поддержка разрешена;
– Disabled — поддержка запрещена. Устанавливается по умолчанию.
• EMS Page Reg I/O Base
Опция позволяет установить адрес ввода/вывода, который будет использоваться для отображения страниц памяти спецификации EMS.
Набор значений зависит от конкретной реализации материнской платы и версии BIOS.
• FSB/SDRAM/PCI Freq. (MHz)
Опция позволяет выбрать конкретные значения частот системной шины, оперативной памяти и шины PCI, исходя из соотношения, установленного опцией FSB: SDRAM: PCI. Конкретные значения опции определяются производителями материнских плат.
• FSB: SDRAM: PCI Freq. Ratio
Опция позволяет выбрать соотношение частот системной шины, оперативной памяти и шины PCI. Данная функция имеется только в BIOS тех материнских плат, чипсет которых поддерживает асинхронную работу указанных шин (например, Intel i815e).
Может принимать значения соотношений частот системной шины, оперативной памяти и шины PCI:
– 66:100:33;
– 100:100:33;
– 133:133:33;
– 133:100:33.
Благодаря данной функции появляется возможность использования модулей памяти, рассчитанных на рабочую частоту 100 МГц, с процессором, работающим на частоте 133 МГц.
• Fast EDO Path Select
Опция позволяет использовать укороченный маршрут чтения процессором из EDO DRAM упреждающих циклов, что уменьшает время ожидания перед операцией чтения.
Может принимать значения:
– Enabled — функция включена. Устанавливается по умолчанию и рекомендуется в большинстве случаев;
– Disabled — функция отключена. Отключать эту опцию рекомендуется только в крайнем случае, т. к. она в последнюю очередь влияет на стабильность работы системы.
• Fast MA to RAS# Delay
Опция позволяет установить задержку между сигналами RAS# и МА (Memory Address). Применяется только для модулей памяти типа FPM.
Может принимать значения:
– Enabled — задержка включена;
– Disabled — задержка отключена.
В некоторых версиях BIOS может встретиться подобная опция с названием Fast MA to RAS# Delay CLK со значениями:
– 1 CCLK — устанавливается задержка в один системный такт;
– 2 CCLK — устанавливается задержка в два системных такта.
• Gate А20 Option
Опция позволяет управлять способом включения адресной линии А20, отвечающей за доступ к памяти, физические адреса которой превышают 1 Мбайт. Функция предназначена для совместимости со старым программным обеспечением. Стоит отметить, что некоторые драйверы MS-DOS (например, VDISK.SYS) блокируют эту функцию, что может вызвать конфликт с драйвером расширенной памяти HIMEM.SYS, который, в свою очередь, используется для деблокирования линии.
Может принимать значения:
– Fast — управление линией осуществляется чипсетом материнской платы, что ускоряет работу в операционных системах OS/2 и Windows;
– Normal — управление осуществляется через контроллер клавиатуры.
Параметр может иметь название Fast Gate А20 Option со значениями Enabled и Disabled. В некоторых старых версиях BIOS можно встретить название LowA20# Select (в этом случае речь идет о том, какое устройство будет управлять низким уровнем сигнала на линии А20 – чипсет или контроллер клавиатуры).
• MA Wait State
Опция позволяет установить или убрать дополнительный такт ожидания до начала чтения данных из оперативной памяти.
Может принимать значения:
– Slow — устанавливается один такт ожидания. Используется по умолчанию для EDO DRAM;
– Fast — отключает дополнительный такт. Используется по умолчанию для памяти типа SDRAM.
В некоторых версиях BIOS встречается опция MA Additional Wait State со значениями: Enabled — задержка включена и Disabled — задержка отключена.
• Memory Hole At 15-16М
Опция позволяет копировать медленную память устройства, подключенного к шине ISA, в более быструю оперативную память. Это происходит за счет выделения специальной области памяти и перемещения в нее данных постоянной памяти платы расширения. Действие этой функции использует механизм "затенения" памяти, который позволяет обращаться к устройствам ввода/вывода, как к адресному пространству оперативной памяти, и за счет этого увеличивать скорость доступа к таким устройствам. Для функционирования этого механизма необходимо исключить для выполняемых программ возможность использования указанной области памяти, что и делает BIOS при включении данной опции.
Может принимать значения:
– Disabled — устанавливается при отсутствии ISA-устройств, имеющих возможность использовать часть оперативной памяти для своей работы. Устанавливается по умолчанию;
– 14М-15М или 15М-16М – для «затенения» используется область расширенной оперативной памяти между 14 и 15 (или между 15 и 16) Мбайт.
И еще одно уточнение: включать опцию следует только в том случае, когда это прямо указано в документации на используемую в системе плату (например, этого требовали видеоплаты высокого разрешения). По сути, в настоящее время эта функция сохранена в BIOS только для совместимости со старым оборудованием.
