rc~t-n. (5)
Предполагаемые значения n лежат между 1/2 и 1/3.
Зависимости (1), (2) и (5) означают, что значения соответствующих величин становятся бесконечными в точках, где t обращается в нуль (ср. рис. 1, 2, 3). Т. о., радиус корреляции неограниченно растет с приближением к точке фазового перехода. Это значит, что любая часть рассматриваемой системы в точке фазового перехода чувствует изменения, произошедшие с остальными частями. Наоборот, вдали от точки перехода флуктуации статистически независимы и случайные изменения состояния вещества в данной точке образца никак не сказываются на остальном веществе. Наглядным примером служит рассеяние света веществом.
В случае рассеяния света на независимых флуктуациях (т. н. рэлеевское рассеяние) интенсивность рассеянного света обратно пропорциональна 4-й степени длины волны и приблизительно одинакова по разным направлениям (рис. 6, а). Рассеяние же на скоррелированных флуктуациях — критическое рассеяние — отличается тем, что интенсивность рассеянного света пропорциональна квадрату длины волны и обладает особой диаграммой направленности (рис. 6, б).
Среди теорий К. я. большое распространение получила теория, рассматривающая вещество в окрестности точки фазового перехода как систему флуктуирующих областей размера ~ rc. Она называется теорией масштабных преобразований (скейлинг-теорией). Скейлинг-теория не позволяет из свойств молекул, составляющих вещество, вычислить критические индексы, но даёт соотношение между индексами, которые позволяют вычислить их все, если известны какие-нибудь два из них. Соотношения между критическими индексами позволяют определить уравнение состояния и вычислять затем различные термодинамические величины по сравнительно небольшому объёму экспериментального материала. На аналогичном принципе построена теория, связывающая несколькими соотношениями критические индексы кинетических свойств (вязкости, теплопроводности, коэффициент диффузии, поглощения звука и др., также имеющих аномалии в точках фазовых переходов) с индексами термодинамических величин. Эта теория называется динамическим скейлингом в отличие от статического скейлинга, который относится только к термодинамическим свойствам материи.
Лит.: Фишер М., Природа критического состояния, пер. с англ., М., 1968; Покровский В. Л., Гипотеза подобия в теории фазовых переходов, «Успехи физических наук», 1968, т. 94, в. 1, с. 127; Critical phenomena. Wash., 1966.
Рис. 3. Дисперсия (1) и поглощение (2) звука в аргоне вблизи критической температуры Tк перехода жидкость — пар. А — интенсивность звука, прошедшего через вещество, A0 — первоначальная интенсивность звука; Vзв — скорость звука.
Рис. 5. Зависимость интенсивности N рассеянного пучка нейтронов, прошедшего через образец никеля, от температуры. Измерялось рассеяние на углы Q = 10,2' и Q = 37' (для Q = 10,2' масштаб уменьшен в 3 раза). Максимум рассеяния соответствует точке Кюри Tк и его положение не зависит от угла рассеяния.
Рис. 2. Зависимость теплоёмкости гелия Cp (при постоянном давлении) вблизи точки перехода в сверхтекучее состояние (2,19 К) от температуры Т.
Рис. 1. Зависимость магнитной восприимчивости c ферромагнетика (монокристалла Ni) вблизи точки Кюри Tк от приведённой температуры t = (Т — Тк)/Тк.
Рис. 6. а — диаграмма направленности рассеяния света на независимых флуктуациях плотности жидкости; б — рассеяние света на скоррелированных флуктуациях (рассеяние при критической температуре). Масштаб в случае б сильно уменьшен.
Рис. 4. Температурная зависимость рассеяния рентгеновских лучей смесью жидких металлов Li — Na. Вблизи критич. точки растворимости смеси (301°С) число квантов рассеянного рентгеновского излучения, зафиксированных счётчиком в единицу времени, имеет резкий максимум.
Критический объём
Крити'ческий объём, удельный объём вещества (или смеси веществ) в его критическом состоянии. Удельные объёмы жидкой и газообразной фаз в критическом состоянии становятся равными между собой. Этот общий удельный К. о. для всех жидкостей соответствует плотности, приблизительно втрое меньшей плотности вещества в твёрдом состоянии. Значения К. о. некоторых веществ приведены в ст. Критическая точка.
Критический реализм (в искусстве)
Крити'ческий реали'зм, направление (метод) в реалистической литературе и искусстве 19—20 вв. Понятие К. р. воспринято советским литературоведением и искусствоведением от М. Горького, употребившего выражение К. р. (1934) для акцентирования обличительной направленности реалистической литературы 19 в. Однако обличительный пафос К. р. никоим образом не исключает в реалистическом искусстве 19—20 вв. утверждающего начала. См. в ст. Реализм.
Лит.: Лаврецкий А., О судьбе одного литературоведческого термина, «Изв. АН СССР. Отделение литературы и языка», 1957, т. 16, в. 1; Николаев П., Реализм как теоретико-литературная проблема, в кн.: Советское литературоведение за 50 лет, М., 1967.
Критический реализм (в философии)
Крити'ческий реали'зм в философии, направление современной идеалистической философии, ведущее своё происхождение от «критической философии» И. Канта. Исходные принципы К. р. были сформулированы в Германии в конце 19 — начале 20 вв. А. Рилем, О. Кюльпе, А. Мессером и др. Как самостоятельная школа К. р. сформировался в США, когда Д. Дрейк, А. Лавджой, Дж. Пратт, А. Роджерс, Дж. Сантаяна, Р. В. Селлерс и Ч. Стронг выпустили в 1920 «Очерки критического реализма», где была дана детальная разработка доктрины К. р. Наиболее существенна для неё теория познания, в которой К. р. противопоставляет себя неореализму: если последний считает, что в процессе познания внешний мир непосредственно включается в сознание субъекта, «схватывается» им таким, как он есть, то К. р. исходит из того, что процесс познания опосредован «данным», или содержанием сознания. При этом проблема природы «данного» решается представителями К. р. по-разному. Пратт и Лавджой отождествляют его с восприятием, считая, что «данное» условно представляет свойства внешней действительности, знание которых даёт возможность субъекту ориентироваться в окружающем мире; это сближает их взгляды с субъективно-идеалистической «иероглифов теорией». Сантаяна, Дрейк, Стронг и Роджерс понимают под «данным» абстрактное понятие — логическая «сущность» вещи, которая в случае правильного познания может совпадать с реальной сущностью вещи. Здесь идеальные «сущности» приобретают онтологический характер, что приводит к своеобразному варианту платонизма. Особую позицию занимает Селлерс, отождествляющий «данное» с адекватным отражением в сознании внешнего мира, что ведёт его к материалистической трактовке процесса познания.
Лит.: Богомолов А. С., Англоамериканская буржуазная философия эпохи империализма, М., 1964, гл. 8; Луканов Д. М., Гносеология американского «реализма», М., 1968; Юдина Н. С., Концепция реальности в американском «критическом реализме», «философские науки», 1958, №2; Hicks G. D., Critical realism, L., 1938.
Д. М. Луканов.
Критический ток
Крити'ческий ток в сверхпроводниках, предельное значение постоянного незатухающего электрического тока в сверхпроводящем образце, при достижении которого вещество образца переходит в нормальное, несверхпроводящее состояние. Т. к. в нормальном состоянии вещество обладает конечным электрическим сопротивлением, то после перехода возникает рассеяние (диссипация) энергии тока, приводящее к нагреву образца.
В массивных сверхпроводниках I рода с размерами, много большими глубины проникновения магнитного поля, К. т. Ik соответствует току, который создаёт критическое магнитное поле Hk на поверхности сверхпроводника. При этом сверхпроводник переходит в промежуточное состояние, в котором часть вещества находится в нормальном, а часть — в сверхпроводящем состоянии. При наличии тока границы между сверхпроводящими и нормальными областями находятся в движении. В силу Мейснера эффекта магнитное поле становится переменным и возникает индукционное электрическое поле, обусловливающее диссипацию энергии в проводнике.
В случае сверхпроводников II рода различают два значения К. т. (Ik,1 и Ik,2). В идеальном сверхпроводнике (не содержащем дефектов кристаллической решётки) при Ik,1 магнитная индукция становится отличной от нуля, магнитное поле проникает в сверхпроводник. Проникшее поле имеет вид нитей с квантованным магнитным потоком, вокруг которых циркулируют сверхпроводящие токи (т. н. вихревые нити). Диссипация энергии в этом случае связана с изменением магнитного поля во времени из-за движения вихревых нитей и с соответствующим индукционным электрическим полем. В реальных сверхпроводниках II рода (с дефектами кристаллической решётки) омическое сопротивление возникает при Ik,2 > Ik,1 т. к. дефекты препятствуют движению вихревых нитей. Подробнее см. в ст. Сверхпроводимость.
